ipor_transistor的绝缘栅双极型晶体管，它是由bjt，双极型三极管和os，绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有osfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。
可是我一直搞不懂它的工作特性，为什么分静态特性和动态特性，静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性，动态特性我只知道一个，是igbt在开通过程中，大部分时间是作为osfet来运行的，只是在漏源电压uds下降过程后期，pnp晶体管由放大区至饱和，因此又增加了一段延迟时间。我想问您，你知道这个这个igbt绝缘栅双极型晶体管的工作特性为什么会这样吗”(未完待续。)